RQJ0303PGDQA#H6
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：3-MPAK
技术参数：MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
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参数详情：
制造商产品型号：RQJ0303PGDQA#H6制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 1.6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10VVgs（最大值）：+10V，-20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：625pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：800mW（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：3-MPAKRQJ0303PGDQA#H6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
