RJP60F0DPM-00#T1
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3PFM，SC-93-3
技术参数：IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
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参数详情：
制造商产品型号：RJP60F0DPM-00#T1制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：50A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.82V @ 15V，25A功率-最大值：40W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：46ns/70ns测试条件：400V，30A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3PFM，SC-93-3RJP60F0DPM-00#T1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
