RJP6085DPK-00#T0
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
技术参数：IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
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参数详情：
制造商产品型号：RJP6085DPK-00#T0制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.5V @ 15V，40A功率-最大值：178.5W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3RJP6085DPK-00#T0的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
