RJL6018DPK-00#T0
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-3P
技术参数：MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
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参数详情：
制造商产品型号：RJL6018DPK-00#T0制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH 600V 27A TO3P系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：265 毫欧 @ 13.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：98nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3830pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：200W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-3PRJL6018DPK-00#T0的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
