RJK60S8DPK-M0#T0
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：单端场效应管，TO-3PSG
技术参数：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
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参数详情：
制造商产品型号：RJK60S8DPK-M0#T0制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：超级结漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：55A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：56 毫欧 @ 27.5A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：82nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5300pF @ 25V功率 - 最大值：416.6W安装类型：通孔封装/外壳：TO-3PSG供应商器件封装：TO-3PSGRJK60S8DPK-M0#T0的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
