RJK6002DPE-00#J3
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：单端场效应管，4-LDPAK
技术参数：MOSFET N-CH 600V 2A LDPAK
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参数详情：
制造商产品型号：RJK6002DPE-00#J3制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH 600V 2A LDPAK系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.8 欧姆 @ 1A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：165pF @ 25V功率 - 最大值：35W安装类型：表面贴装封装/外壳：SC-83供应商器件封装：4-LDPAKRJK6002DPE-00#J3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
