RJK03E3DNS-00#J5
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：单端场效应管，8-HWSON
技术参数：MOSFET N-CH 30V 14A HWSON
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参数详情：
制造商产品型号：RJK03E3DNS-00#J5制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH 30V 14A HWSON系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.6 毫欧 @ 7A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1050pF @ 10V功率 - 最大值：10W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-HWSON（3.3x3.3）RJK03E3DNS-00#J5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
