RJH60F6DPQ-A0#T0
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
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参数详情：
制造商产品型号：RJH60F6DPQ-A0#T0制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO247A系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：最後搶購IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：85A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，45A功率-最大值：297.6W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：58ns/131ns测试条件：400V，30A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：90ns工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3RJH60F6DPQ-A0#T0的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
