RJH60D7DPQ-E0#T2
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V 90A 300W TO-247
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参数详情：
制造商产品型号：RJH60D7DPQ-E0#T2制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：IGBT 600V 90A 300W TO-247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：90A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，50A功率-最大值：300W开关能量：1.1mJ（开），600μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：130nC25°C时Td（开/关）值：60ns/190ns测试条件：300V，50A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：100ns工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3RJH60D7DPQ-E0#T2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
