RJH1CV7DPQ-E0#T2
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT TRENCH 1200V 70A TO247
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参数详情：
制造商产品型号：RJH1CV7DPQ-E0#T2制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：IGBT TRENCH 1200V 70A TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：70A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，35A功率-最大值：320W开关能量：3.2mJ（开），2.5mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：166nC25°C时Td（开/关）值：53ns/185ns测试条件：600V，35A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：200ns工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3RJH1CV7DPQ-E0#T2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
