RJH1CF4RDPQ-80#T2
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
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参数详情：
制造商产品型号：RJH1CF4RDPQ-80#T2制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：IGBT 1200V 40A 156.2W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A功率-最大值：156.2W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3RJH1CF4RDPQ-80#T2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
