NP83P04PDG-E1-AY
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-263
技术参数：MOSFET P-CH 40V 83A TO263
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参数详情：
制造商产品型号：NP83P04PDG-E1-AY制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET P-CH 40V 83A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：*零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：83A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 41.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：200nC @ 10VVgs（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9820pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：-工作温度：-安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263NP83P04PDG-E1-AY的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
