NP82N055NUG-S18-AY
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：单端场效应管，TO-262
技术参数：MOSFET N-CH 55V 82A TO-262
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参数详情：
制造商产品型号：NP82N055NUG-S18-AY制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH 55V 82A TO-262系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：82A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 41A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：160nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9600pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安装类型：通孔封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA供应商器件封装：TO-262NP82N055NUG-S18-AY的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
