NP82N04MLG-S18-AY
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：单端场效应管，TO-220-3
技术参数：MOSFET N-CH TO-220
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参数详情：
制造商产品型号：NP82N04MLG-S18-AY制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH TO-220系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：82A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 41A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：150nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9000pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商器件封装：TO-220-3NP82N04MLG-S18-AY的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
