NP80N06PLG-E1B-AY
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-263
技术参数：MOSFET N-CH 60V 80A TO263
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参数详情：
制造商产品型号：NP80N06PLG-E1B-AY制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH 60V 80A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.3 毫欧 @ 40A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：128nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6900pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），115W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263NP80N06PLG-E1B-AY的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
