NP16N06QLK-E1-AY
制造厂商:Renesas(中文名:瑞萨电子)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerLDFN
技术参数:POWER TRANSISTOR AUTOMOTIVE MOS
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参数详情:
制造商产品型号:NP16N06QLK-E1-AY制造商:Renesas Electronics(瑞萨电子)描述:POWER TRANSISTOR AUTOMOTIVE MOS系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):16A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):39 毫欧 @ 8A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):750pF @ 25V功率-最大值:1W(Ta),25W(Tc)工作温度:175°C安装类型:表面贴装型封装:8-PowerLDFNNP16N06QLK-E1-AY的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。