NE6510179A-T1-A
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：RF FET，4-SMD
技术参数：HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
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参数详情：
制造商产品型号: NE6510179A-T1-A制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）功能总体简述: HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A系列: -晶体管类型: HFET电压 - 集射极击穿（最大值）: -频率: 1.9GHz增益: 10dB频率 - 跃迁: -噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -电压 - 测试: 3.5V额定电流: 2.8A功率 - 最大值: -噪声系数: -不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -电流 - 测试: 200mA功率 - 输出: 32.5dBm电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -安装类型: -电压 - 额定: 8V封装/外壳: 4-SMD，扁平引线供应商器件封装: NE6510179A-T1-A的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
