NE3514S02-T1C-A
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：RF FET，4-SMD
技术参数：HJ-FET NCH 10DB S02
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参数详情：
制造商产品型号: NE3514S02-T1C-A制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）功能总体简述: HJ-FET NCH 10DB S02系列: -晶体管类型: HFET电压 - 集射极击穿（最大值）: -频率: 20GHz增益: 10dB频率 - 跃迁: -噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -电压 - 测试: 2V额定电流: 70mA功率 - 最大值: -噪声系数: 0.75dB不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -电流 - 测试: 10mA功率 - 输出: -电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -安装类型: -电压 - 额定: 4V封装/外壳: 4-SMD，扁平引线供应商器件封装: NE3514S02-T1C-A的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
