NE3513M04-T2-A
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：RF FET，SOT-343F
技术参数：IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD
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参数详情：
制造商产品型号: NE3513M04-T2-A制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）功能总体简述: IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD系列: -晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET电压 - 集射极击穿（最大值）: -频率: 12GHz增益: 13dB频率 - 跃迁: -噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -电压 - 测试: 2V额定电流: 60mA功率 - 最大值: -噪声系数: 0.65dB不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -电流 - 测试: 10mA功率 - 输出: 125mW电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -安装类型: -电压 - 额定: 4V封装/外壳: SOT-343F供应商器件封装: NE3513M04-T2-A的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
