HSG1002VE-TL-E
制造厂商:Renesas(中文名:瑞萨电子)
类别封装:RF晶体管,4-MFPAK
技术参数:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
(专注销售瑞萨电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
(您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
参数详情:
制造商产品型号:HSG1002VE-TL-E制造商:Renesas Electronics(瑞萨电子)描述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4系列:-晶体管类型:NPN电压 - 集射极击穿(最大值):3.5V频率 - 跃迁:38GHz噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz增益:8dB ~ 19.5dB功率 - 最大值:200mW不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,2V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35mA安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD,鸥翼型供应商器件封装:4-MFPAKHSG1002VE-TL-E的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。