HAT2199R-EL-E
制造厂商:Renesas(中文名:瑞萨电子)
类别封装:单端场效应管,8-SOP
技术参数:MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
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参数详情:
制造商产品型号:HAT2199R-EL-E制造商:Renesas Electronics(瑞萨电子)描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 5.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.5nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1060pF @ 10V功率 - 最大值:2W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOPHAT2199R-EL-E的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。