HAT2173N-EL-E
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：单端场效应管，8-LFPAK-iV
技术参数：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
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参数详情：
制造商产品型号：HAT2173N-EL-E制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：25A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15.3 毫欧 @ 12.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6V @ 20mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：61nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4350pF @ 10V功率 - 最大值：30W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）供应商器件封装：8-LFPAK-iVHAT2173N-EL-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
