2SJ352-E
制造厂商：Renesas（中文名：瑞萨电子）
类别封装：单端场效应管，TO-3P
技术参数：MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
（专注销售瑞萨电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：2SJ352-E制造商：Renesas Electronics（瑞萨电子）描述：MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 10V功率 - 最大值：100W安装类型：通孔封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3P2SJ352-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
